【创新】中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展；中国科大实现基于非局域性的量子...

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1.中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展 2.中国科大实现基于非局域性的量子电路等价性检验 3.天津大学构筑光电功能手性阿基米德多面体 4.电子科技大学张林博研究员在多模态传感-视觉融合应用材料领域取得重要进展 5.贺利氏烧结银在功率模块中的应用 1.中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展 近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。 当前,碳化硅(SiC)晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底(即“高质量”衬底)的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC的生长和提纯过程中,自然会产生低等级衬底(即“低质量”衬底)。在目前的工业生产中,这些衬底通常 ………………………………