华中科技大学王鸣魁最新AEM：调制埋底界面实现三阳离子钙钛矿太阳能电池超高开路电压(1.241V)

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      2024年8月6日 华中科技大学Xiongjie Li Shen & 王鸣魁 等于AEM刊发调制埋底界面实现三阳离子钙钛矿太阳能电池超高开路电压(1.241V)的研究成果， 本文提出了一种利用π共轭分子调制埋底 界面以提高钙钛矿太阳能电池开路电压的方法，该方法具有推拉式电子结构构型。 在以氧化锡纳米晶为电子传输 层的平面钙钛矿太阳能电池中，2-甲基-1-氨基苯衍生物与4-(七氟丙烷)-2-甲基苯胺的结合不仅显著降低了界面能垒，而且钝化了埋底 界面处的缺陷。 该调制方法将Cs 0.05 (FA 0.85 MA 0.15 ) 0.95 Pb(I 0.85 Br 0.15 ) 3 (带隙≈1.60 eV)钙钛矿太阳能电池的开路电压提高到1.241 V的高值，从而使电池在标准测试条件下的功率转换效率达 到 24.16%。 在Cs 0.05 MA 0.05 FA 0.9 PbI 3 (带隙≈1.54 eV)钙钛矿太阳能电池中，可以达到25.11%的更高效率。 开路电压(1.241 V)是三阳离子钙钛矿太阳能电 ………………………………