三星启动平泽P4工厂1c纳米DRAM产线，计划明年6月量产

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8月13日消息，据韩国媒体ETNews报导，三星已确认在韩国平泽P4工厂建设1c纳米制程DRAM內存产线投资计划，目标是2025年6月量产。 三星平泽P4是综合性半导体生产中心，分为四期计划。三星早期规划，一期生产NAND Flash闪存，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM內存。三星已在P4一期导入DRAM设备，却宣布搁置二期建设。 1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程，各大內存1c纳米产品均未发布。三星计划2024年底启动1c纳米生产，考虑2025下半年推出HBM4采1c纳米DRAM裸片，或以更先进DRAM制程提升HBM4竞争力，追上对手SK海力士。 考虑到HBM对DRAM晶圆的消耗量远高于传统內存，故三星平泽P4建设1c纳米DRAM产线，市场推测可能也是为了HBM4预做准备。 编辑：芯智讯-林子 往期精彩文章 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本将大幅降低！ 15亿交易告吹，纳芯微 ………………………………