用钌替代铜互连，大有可为

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体芯闻（ID:Moor eNEWS）编译自semiengineering，谢谢。   光刻成本的上升、特征尺寸的缩小以及对铜替代品的需求共同激发了人们对区域选择性沉积的新兴趣。作为原子层沉积的延伸，ASD 寻求从下向上构建电路特征，而不依赖于光刻。 在可预见的未来，光刻仍将是一种关键工具。但长期以来，光刻一直是半导体制造中最昂贵的工艺，随着 EUV 的出现，这一成本将变得更高。在几代设备中，即使是 EUV 工具也需要多次曝光才能达到所需的特征尺寸。边缘放置误差在总误差预算中所占的比例越来越大。将新层与现有特征对齐可以消除光刻步骤并减少边缘放置误差的影响。 缩小的特征尺寸也引起了人们对钌互连的兴趣，这可能是自引入铜以来互连堆栈的最大变化。线宽低于 100nm 时，铜的电 ………………………………