寄生参数对栅极震荡的影响

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在现代电子电路设计和应用中，寄生参数是指那些并非设计者最初所期望的，但在电路或元器件中由于物理结构、材料特性或布局布线等因素而自然产生的非预期电气参数。这些参数虽然不是设计之初所考虑的，但它们对电路的性能和行为有着不可忽视的影响。在本次研究中，重点探讨寄生电感对栅极振荡的影响，同时通过实验来逐步验证。 在MOSFET、IGBT等功率器件中，寄生参数主要分为寄生电容，电阻，电感三方面，其中寄生电感的存在会对栅极振铃产生显著影响。其中，栅源极之间（焊引脚和键合线）的寄生电感L是导致栅极振铃的主要因素。根据U=L*di/dt，开关速度快，即di/dt大，则在源极引脚寄生电感上产生的感应电压更大。此时，V gs 外部测量的电压主要由内部C gs 电压叠加栅源寄生电感（3-7nH）上感应电压。 图1 寄生参数模型 实验场景 为了 ………………………………