光刻胶领域，我国取得新突破

主要观点总结

北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，并开发出减少光刻缺陷的产业化方案。该研究破解了长期以来光刻胶在显影液中的微观行为不清楚的问题，为半导体制造工艺的优化提供了新的工具和方向。

关键观点总结

关键观点1: 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺的核心驱动力之一。

彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术解析了光刻胶分子的微观结构，为减少光刻缺陷提供了产业化方案。

关键观点2: 光刻胶在显影液中的微观行为长期是“黑匣子”，成为制约先进制程良率提升的关键瓶颈。

研究团队将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，成功合成出分辨率优于5纳米的微观三维全景照片，解决了传统技术的痛点。

关键观点3: 冷冻电子断层扫描技术为解析各类液相界面反应提供了强大工具。

掌握液体中聚合物的结构与微观行为，有助于推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。