具有超导性能的锗材料制成

主要观点总结

一个国际研究团队在《自然·纳米技术》发表论文，宣布成功制备出具有超导性的锗材料，能在零电阻状态下导电，为开发可扩展量子器件开辟新路径。该成果通过分子束外延技术实现镓原子精确嵌入锗的晶格中，获得高度有序的晶格结构。团队成员指出，这一成果不仅扩展了对IV族半导体物理性质的理解，更打开了用于下一代量子电路、低功耗低温电子设备和高灵敏度传感器的可能性。

关键观点总结

关键观点1: 研究团队成功制备出具有超导性的锗材料

通过分子束外延技术实现镓原子精确嵌入锗的晶格，获得高度有序的晶格结构，实现超导性。

关键观点2: 锗超导的实现为开发可扩展量子器件开辟新路径

该成果为量子技术发展提供了新的可能性，有助于开发下一代量子电路、低功耗低温电子设备和高灵敏度传感器。

关键观点3: 研究突破由多国科学家合作完成

此次突破由美国纽约大学、俄亥俄州立大学和澳大利亚昆士兰大学、瑞士苏黎世联邦理工学院等机构科学家共同合作完成。

关键观点4: 实现超导的关键在于引入足够多的导电电子

在低温下形成配对并协同运动，从而消除电阻。研究团队通过精确控制生长条件，克服了高浓度掺杂导致晶体破坏的障碍。

关键观点5: 研究成果有望兼容现有代工厂流程，加速量子技术的实用化进程

由于锗已在先进芯片制造中广泛应用，团队强调这种材料能构建超导与半导体区域之间的清洁界面，是实现集成量子技术的关键一步。