主要观点总结
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出一种名为大孔径铥（BAT）激光器的技术，其效率号称是ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的10倍，并有望在未来取代光刻系统中的CO2激光器。该实验室的研究人员在EUV光刻技术方面进行了长期的多学科研究，包括激光技术、光学和等离子体物理学等，为新一代'beyond EUV'的光刻系统铺平道路。最新的BAT激光器技术采用拍瓦级输出功率，与现有EUV光刻系统使用的CO2激光器相比，可将EUV能源效率提高约10倍。这项技术进步可能导致更小、更强大、制造速度更快、耗电量更少的芯片的生产。
关键观点总结
关键观点1: 劳伦斯利弗莫尔国家实验室开发出大孔径铥（BAT）激光器技术
这种激光器的效率是ASML EUV光刻机中CO2激光器的10倍。
关键观点2: BAT激光器技术有望在未来取代光刻系统中的CO2激光器
这为新一代的光刻系统铺平了道路，可能实现更小、更强大、制造速度更快、耗电量更少的芯片的生产。
关键观点3: 劳伦斯利弗莫尔国家实验室在EUV光刻技术方面进行了长期研究
包括激光技术、光学和等离子体物理学等多学科的研究，为BAT激光器技术的开发提供了基础。
文章预览
1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 倍，并有望在多年后取代光刻系统中的 CO2 激光器。 过去数十年来，劳伦斯利弗莫尔国家实验室在尖端激光、光学和等离子体物理学研究成果，在半导体行业用于制造先进微处理器的基础科学中发挥了关键作用。这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机的惊人创新。 而最新的由劳伦斯利弗莫尔国家实验室领导的计划，将评估大孔径铥 （BAT） 激光器技术，与当前行业标准的 CO2 激光器相比，有望将 EUV 光源效率提高约 10 倍。这一进步可能为新一代“beyond EUV”的光刻系统铺平道路，这些系统
………………………………
