400层NAND，将要来了

主要观点总结

SK Hynix计划于2025年底开始量产400层NAND，同时321层NAND将于2025年上半年投入生产。该目标实现将依赖于混合键合技术，通过该方法将存储单元和外围电路分开制造后再结合，以降低损坏风险。SK Hynix面临的技术挑战包括高温高压下的制造问题，该公司正在审查新材料并研究相关技术以应对这些挑战。全球内存巨头如三星和美光也在提高NAND芯片的层数。此信息由半导体行业观察编译自Wccftech。

关键观点总结

关键观点1: SK Hynix的目标是在未来存储驱动器中准备400层NAND。

该公司计划使用混合键合技术来实现这一目标，该技术涉及制造存储单元和外围电路并在单独晶圆上结合。

关键观点2: 混合键合技术的实施面临技术挑战。

随着NAND层数的增加，高温和高压导致损坏外围电路的问题加剧，因此公司正在寻找解决方案以应对这些问题。

关键观点3: 全球内存巨头也在提高NAND芯片的层数。

例如，三星和美光也在积极开发更先进的NAND技术，以提高存储容量。

关键观点4: SK Hynix正计划改变供应链以适应混合键合技术的实施。

该公司正在寻找新的键合材料和技术，以支持其混合键合技术的实施，并预计在明年上半年实现全面量产。