NEO推出3D X-AI芯片：AI性能提升100倍，功耗降低99%！

文章预览

近日，3D NAND 闪存和 3D DRAM 创新技术的领先开发商 NEO Semiconductor 宣布推出其 3D X-AI芯片技术，旨在取代高带宽内存 （HBM） 内部的现有 DRAM 芯片，通过在 3D DRAM 中实现 AI 处理来解决数据总线带宽瓶颈。 NEO Semiconductor 称，3D X-AI 可以减少 AI 工作负载期间 HBM 和 GPU 之间传输的大量数据，这将彻底改变 AI 芯片的性能、功耗和成本，助力各类生成式 AI应用。具体来说，采用NEO Semiconductor的3D X-AI技术的AI芯片可以实现： 1、100 倍性能加速：包含 8,000 个神经元电路，可在 3D DRAM中执行 AI 处理； 2、功耗降低 99%：最大限度地减少将数据传输到 GPU 进行计算的需求，从而降低数据总线的功耗和发热。 3、8 倍内存密度：包含 300 个DRAM层，并允许通过类似 HBM 的堆叠，可以运行更大的 AI 模型。 其实早在2023年5月，NEO Semiconductor就宣布将推出全球首款3D DRAM技术，该技术 ………………………………