三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4

主要观点总结

本文介绍了韩国存储芯片大厂三星和SK海力士计划使用1c制程的DRAM开发下一代HBM4内存的消息。由于未能通过英伟达最新AI GPU的资格测试，三星考虑采用更先进的1c DRAM。此外，三星和SK海力士在竞相提供下一代HBM4内存标准时，都着眼于使用新技术，如三星的3D封装技术和多达16-Hi堆栈，而SK海力士则计划与台积电合作采用新的封装技术。台积电表示正在与主要HBM内存合作伙伴合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。

关键观点总结

关键观点1: 三星和SK海力士计划使用1c制程的DRAM开发下一代HBM4内存。

由于未能通过英伟达的资格测试，三星考虑采用更先进的1c DRAM。此外，三星将1c DRAM用于12-Hi和16-Hi堆栈的HBM4产品。预计2024年底建成第一条1c DRAM量产线。

关键观点2: 三星和SK海力士在竞相提供下一代HBM4内存标准时都在尝试新技术。

除了使用更先进的DRAM制程外，三星正在研究3D封装技术和堆栈层数的增加，而SK海力士则计划与台积电合作采用新的封装技术。台积电正在与主要HBM内存合作伙伴合作，利用先进节点实现HBM4全堆栈集成。

关键观点3: 台积电对于HBM4内存的制造有详细的规划和策略。

台积电表示将从旧的接口升级到更先进的接口将面临技术上的复杂性，并且将采用CoWoS技术来制造新的基础芯片和进行多Hi堆栈的制造。