青岛大学吴广磊团队AFM：分子插层诱导1T和2H-MS₂（M=Mo、V、W）的相变工程，用于界面极化增强型电磁吸收器

1、研究背景：5G通信和大数据时代无线电子设备的快速发展，改善了人类的生活，但也造成了严重电磁辐射污染问题。解决日益严重的电磁污染问题已经迫在眉睫。鉴于此，人们一直在努力开发高性能电磁波吸收材料(EMWAMs)，这种材料可以将环境中的大部分微波转化为热能从而耗散掉。一种简单有效的策略是构建具有多组件和异质接口的EMWAMs。近期相关研究表明，由半导体和金属组成的多个界面实现了界面极化(如肖特基结)和传导损耗的优化增强。虽然对吸波器的界面工程问题已经进行了大量的实验研究，但是对不同导体类型的非均质组分如何影响界面极化中载流子的运动行为仍不清晰。2、文章概述：近日，青岛大学材料科学与工程学院能源与环境材料研究院吴广磊教授课题组报道了通过有机小分子插层调整过渡金属二硫族化合物(TMDs) MS2 (M=Mo, V, W ………………………………