SiCer小课堂 | 什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？

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  各位小伙伴，不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课—— 《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》 后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSFET时采用米勒钳位功能的必要性。 （点击图片可以查看原课堂视频哦！） 01 什么是米勒现象 在桥式电路中，功率器件会发生米勒现象，它是指当一个开关管在开通瞬间，使对管的门极电压出现快速升高的现象。 该现象广泛存在于功率器件中，包括IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET。 原理分析： 当下管Q2保持关闭，在上管Q1开通瞬间，桥臂中点电压快速上升，桥臂中点dv/dt的水平，取决于上管Q1的开通速度。该dv/dt会驱动下管Q2的栅漏间的寄生电容C gd 流过米勒电流Igd；I gd =C gd *（dv/dt），dv/dt越大，米勒电流I gd 越大 ………………………………