【进展】北大在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展；中国科大微电子学院在水陆...

主要观点总结

本文主要报道了北京大学在功率半导体器件领域的最新进展，包括GaN CMOS集成技术和SiC MOSFET阈值电压负漂移新机制的研究。同时，中国科大微电子学院在水陆两栖紫外光电器件领域取得重要进展。另外，北京大学团队运用多尺度拓扑和AI提升物质多体相互作用能量预测精度。文章中涉及多个科研团队的成果和合作情况，以及不同领域的技术进展和挑战。

关键观点总结

关键观点1: 北京大学在功率半导体器件领域的最新进展

包括GaN CMOS集成技术和SiC MOSFET阈值电压负漂移新机制的研究，相关成果发表在ISPSD等国际会议上。

关键观点2: 中国科大微电子学院在水陆两栖紫外光电器件领域的进展

提出了一种无需封装、可在水下和陆地稳定工作的水陆两用自供电紫外光电化学传感器，为可穿戴光传感器提供了全新思路。

关键观点3: 北京大学团队运用多尺度拓扑和AI提升物质多体相互作用能量预测精度

提出了一种名为“多尺度拓扑学习”的可解释性框架，利用持久拓扑拉普拉斯的多尺度拓扑方法有效捕捉多体相互作用的内在属性，提高了多原子体系能量预测的准确性。