碲镉汞PIN结构雪崩器件的Ⅰ区材料晶体质量研究

常规的碲镉汞PIN结构雪崩器件一般采用non-p结构，其中最为关键的雪崩Ⅰ区采用离子注入及推结退火的后成结工艺。这些工艺步骤将改变原生材料的性质，前期理论模拟研究表明，雪崩Ⅰ区的质量对APD器件的暗电流至关重要。因此，对于雪崩Ⅰ区真实材料性能的研究将对后续APD器件的工艺优化提供有效基础支撑。据麦姆斯咨询报道，近期，中科院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“碲镉汞PIN结构雪崩器件的Ⅰ区材料晶体质量研究”为主题的文章。该文章第一作者为沈川副研究员，通讯作者为陈路研究员，主要从事基于PIN结构的碲镉汞线性雪崩焦平面器件技术的研究工作。本文通过单项实验对比与分析，选取原生HgCdTe材料，对其进行PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟，形成大面积的雪 ………………………………