三星：必须大幅提升2nm良率

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容编译自zdnet，谢谢。 三星电子代工部门新任负责人韩金满（Han Jin-man）表达了恢复代工竞争力的强烈意愿。 据业界9日消息，韩金满今天上午向高管和员工发出了第一条信息，提出了提高2纳米(nm)工艺良率等任务。 他表示，“三星电子率先实现了向GAA（gate-all-around）工艺的过渡，但在商业化方面仍存在很多不足”，并补充道，“我们必须打破不得不再次竞争的恶性循环”随着机会之窗关闭，在下一个节点。” GAA 是下一代晶体管结构，与现有 FinFET 结构相比，可提高功率效率。三星电子在业界率先将GAA引入其代工工艺，并于2022年从3纳米工艺开始量产。主要竞争对手台积电计划将GAA应用到2nm。 不过，三星电子的3纳米工艺并没有被英伟达、高通等海外主要无晶圆厂客户选择。由于先发制人的 ………………………………