维也纳工业大学/美国洛斯阿拉莫斯国家实验室Phys. Rev. Lett.: 莫特-安德森转变中杂质...

主要观点总结

本文报道了维也纳工业大学M. Parzer和美国洛斯阿拉莫斯国家实验室F. Garmroudi课题组在Phys. Rev. Lett.上的研究论文，研究了杂质带（IBs）的离域化及其对电子输运的影响。该研究通过降低Fe含量控制三元Fe 2-x V 1+x Al Heusler化合物的赝能隙内杂质态电子带的逐步形成，并结合密度泛函理论计算和实验观察，探究了原型莫特-安德森转变（MAT）的离域化过程。最终发现，在完全无序的V 3 Al中，电荷载流子的离域化导致电阻率与温度无关，比康铜更恒定。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

考虑到在各种电子器件中广泛使用具有隙内杂质态的掺杂原子来控制半导体的物理性质，杂质带的离域化及其对电子输运的影响成为重要问题。

关键观点2: 研究方法

研究通过降低Fe含量控制三元Fe 2-x V 1+x Al Heusler化合物的赝能隙内杂质态电子带的逐步形成，结合密度泛函理论计算和实验观察，探究莫特-安德森转变的离域化过程。

关键观点3: 研究成果

随着x的增加，监测到原型莫特-安德森转变上迁移率边的形成，并在完全无序的V 3 Al中发现电荷载流子的离域化导致电阻率与温度无关，比康铜更恒定。

关键观点4: 研究意义

本研究有助于理解杂质带离域化的物理机制及其对电子输运的影响，为设计新型电子器件提供了理论支持。

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