直播预告 |@6/6 突破Silicon瓶颈的关键 - 东芝新世代化合物功率元件

主要观点总结

这篇文章主要介绍了东芝公司的研讨会内容及相关信息和背景。研讨会关注东芝最新GaN/SiC产品的研发动向和应用电路介绍，尤其是Power GaN的公开和SiC产品的新进展。研讨会还包含主讲嘉宾介绍和答疑环节。

关键观点总结

关键观点1: 研讨会介绍东芝的GaN/SiC最新产品及应用电路。

研讨会将展示东芝的最新技术，包括第3世代SiC产品的量产和第4世代研发进展，以及Power GaN的公开和产品选择性的扩展。

关键观点2: 东芝开发的新型功率元件助力电子设备高效率并有助于减少地球暖化。

东芝的功率元件采用最新技术，旨在满足客户对高效率的需求，并通过减少能源消耗为环保做出贡献。

关键观点3: 研讨会包含主讲嘉宾分享技术经验和答疑环节。

知名专家李轩峰、洪振杰等将分享他们在电力电子领域的经验和专业知识，并在答疑环节解答观众问题。

关键观点4: 台湾东芝电子零组件公司简介及其产品优势。

公司致力于提供高性能、高可靠性的功率晶体管和小信号器件等。此外，详细介绍了东芝的SiC MOS/SBD与传统硅功率半导体的区别和优势。