消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设

主要观点总结

韩国媒体ETNews报道，三星计划明年三月启动下一代3D NAND闪存——第十代V-NAND的首条量产线建设，并有望在当年十月进入全面量产阶段。该产线的建设包括设备安装、建成产线和试生产等步骤，稳定后转入正式量产，时间表晚于部分人士预期。下一代V-NAND堆叠层数将暴涨到400层以上，并引入先进技术如超低温蚀刻和混合键合等。

关键观点总结

关键观点1: 三星计划启动第十代V-NAND闪存量产线建设

据报道，三星计划在明年三月开始建设其下一代3D NAND闪存，即第十代V-NAND的首条量产线，有望当年10月进入全面量产阶段。

关键观点2: 下一代V-NAND堆叠层数将突破400层

据透露，下一代V-NAND的堆叠层数将从现有的286层V9跃升至400层以上，成为最高堆叠闪存。

关键观点3: 引入超低温蚀刻和混合键合等先进技术

为了提升性能，下一代V-NAND将采用先进技术，包括超低温蚀刻和混合键合等。

关键观点4: 时间表晚于预期

虽然三星的建设计划晚于部分人士的预期，但该公司的目标是在稳定后转入正式量产。