韩媒：SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm

主要观点总结

本文介绍了SK海力士在下一代高带宽内存上的新动向，包括采用台积电的3nm工艺制造HBM4基础裸片以提升AI半导体运行效率，并满足客户定制电路需求。此外，HBM4芯片的高数据传输速率和低功耗使其成为人工智能、深度学习和高端游戏等领域的理想选择，但产能短缺已成为限制英伟达增长的一个瓶颈。全球HBM市场规模有望快速增长。

关键观点总结

关键观点1: SK海力士采用台积电3nm工艺制造HBM4基础裸片

为提升AI半导体运行效率，满足客户定制电路需求，SK海力士将采用台积电的3nm工艺来制造HBM4基础裸片。

关键观点2: HBM4芯片的特点和市场需求

HBM4芯片具有更高数据传输速率和更低功耗，其带宽比HBM3提升近50%，适用于人工智能、深度学习和高端游戏等场景。但产能短缺已成为限制英伟达增长的一个瓶颈。

关键观点3: SK海力士的竞争对手和市场前景

三星和美光等竞争对手也在逐步扩大市场份额。SK海力士计划在2025年下半年推出首批HBM4产品。摩根士丹利预测全球HBM市场规模将从2023年的40亿美元增长至2027年的330亿美元。