清华大学 & 上海交通大学 & 北京大学Nat. Mater.：菱方石墨烯中的莫尔增强平带

主要观点总结

本文介绍了研究人员在分数量子反常霍尔效应方面的新发现，具体是在具有莫尔势的BN衬底对齐菱方五层石墨烯（对齐R5G/BN）中观测到该效应。研究团队通过纳米级角分辨光电子能谱技术，直接观测到对齐与未对齐R5G/BN样品中的拓扑平带，并发现对齐样品中莫尔势不仅产生了莫尔能带，还增强了拓扑平带特性。该研究揭示了莫尔势在调控对齐R5G/BN体系表层电子结构中的重要作用，为理解其涌现量子现象奠定了理论基础。

关键观点总结

关键观点1: 研究发现分数量子反常霍尔效应在对齐R5G/BN中更易出现

当载流子偏离莫尔界面时更易出现分数量子反常霍尔效应，引发了关于莫尔势作用的争论。

关键观点2: 研究团队通过纳米级角分辨光电子能谱技术观测到拓扑平带

研究团队对比了对齐与未对齐R5G/BN样品中的电子结构，发现对齐样品中不仅出现莫尔能带，其平带强度也显著增强。

关键观点3: 理论计算揭示了莫尔势影响表层电子态的机制

理论计算表明，莫尔势通过底层莫尔调制层产生的层间库仑相互作用影响表层电子态，这一发现有助于协调现有实验观测与理论模型之间的分歧。