性能杀手锏！台积电3nm工艺迭代，新一代手机芯片交战

文章预览

电子发烧友网报道（文/李弯弯）近日消息，联发科、高通新一波5G手机旗舰芯片将于第四季推出，两大厂新芯片都以台积电3nm制程生产，近期进入投片阶段。 在台积电3nm制程加持之下，天玑9400的各面向性能应当会再提升，成为联发科抢占市场的利器。高通虽尚未公布新一代旗舰芯片骁龙8 Gen 4亮相时间与细节。外界认为，该款芯片也是以台积电3nm制程生产，并于第四季推出。 台积电3nm实现更高晶体管密度和更低功耗 台积电的3nm制程技术采用了先进的制造工艺，能够实现更高的晶体管密度和更低的功耗，从而显著提升芯片的性能和能效。 台积电的3nm制程技术是基于FinFET技术的最后一代。它采用了高达25个极紫外线（EUV）层，部分使用双重曝光技术，以提高逻辑和SRAM晶体管的密度。 相比前一代5nm工艺，3nm制程实现了约1.6倍的逻辑密度扩展、18%的速度 ………………………………