闪存突破300层！

主要观点总结

SK海力士宣布开始量产全球最高的321层堆叠1Tb TLC 4D NAND Flash闪存，突破技术界限。该公司采用高生产效率的3-Plug制程技术开发该产品，并计划从2025年上半年开始供应市场。与上一代产品相比，其生产效率、数据传输速度、读取性能和数据读取能效都有所提高。SK海力士将积极应对AI低功耗、高性能的新市场，并在NAND Flash闪存领域提供超高性能存储器产品组合。

关键观点总结

关键观点1: SK海力士开始量产全球最高的321层堆叠NAND Flash 存储器

SK海力士在NAND Flash存储器领域取得了重大突破，宣布开始量产全球最高的321层堆叠的NAND Flash存储器。该公司计划从2025年上半年开始向客户供应这种产品。

关键观点2: 采用高生产效率的3-Plug制程技术

SK海力士在开发过程中采用了高生产效率的3-Plug制程技术，该技术有助于克服堆叠局限，提高生产效率和产品性能。

关键观点3: 产品性能显著提升

与上一代产品相比，SK海力士的新产品在生产效率、数据传输速度、读取性能和数据读取能效等方面都有所提高。此外，新产品还提高了数据读取能效。

关键观点4: 积极应对AI市场

SK海力士表示将积极应对针对AI的低功耗、高性能市场，并扩大其应用范围。公司还表示，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、边缘AI等针对AI的存储器市场方面占有有利地位。