新型存储，三星再攻一城

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容来自eenewseurope，谢谢。 三星已利用计算机建模加速选择仅选择器存储器 (SOM) 的材料系统。研究人员将于今年 12 月在旧金山举行的国际电子设备会议 (IEDM) 上发表有关这项工作的论文。 SOM是一种很有前途的新型存储器，它具有非易失性以及类似 DRAM 的读/写性能和可堆叠性。 SOM 建立在交叉点存储器架构之上，其中存储器由相互交叉的堆叠电极阵列制成。相变存储器和 RRAM 阵列都使用这种方法，这种方法通常需要选择器晶体管或二极管，例如锗硒化物双向阈值开关 (OTS)。选择器起着关键作用，因为它选择要寻址的存储单元并防止通过阵列绕过所选单元的“潜行路径”。 近年来，研究人员一直在探索将硫族化物基选择器不仅用作选择器而且用作存储器本身的可能性，从而创造出一种新颖的 ………………………………