EUV光刻，新里程碑

主要观点总结

本文介绍了imec计算技术与系统高级副总裁Steven Scheer关于ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业意义的观点。文章涵盖了High NA EUV光刻实验室的开业里程碑、对半导体行业的影响、以及开发设施的目标。同时，文章还介绍了High NA EUV将如何应用于逻辑芯片和DRAM内存制造，以及迈向下一代High NA EUV的目标和挑战。此外，文章还讨论了扩展0.33NA EUV活动、减少二氧化碳排放以及Hyper-NA EUV的可行性研究等相关内容。

关键观点总结

关键观点1: High NA EUV光刻实验室的开业及其意义

ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室的开业标志着High NA EUV大规模生产应用准备工作取得里程碑式进展。该实验室支持idm和代工厂降低图案化技术的风险，并提供私有的High NA EUV用例开发机会。

关键观点2: High NA EUV在半导体行业的应用

High NA EUV将首先应用于逻辑芯片和DRAM内存的制造。其目标是提高产量，缩短周期时间，并可能减少二氧化碳排放。长远来看，High NA EUV将成为图案化互补场效应晶体管（CFET）芯片和复杂结构制造的关键技术。

关键观点3: 开发设施的现代化和创新性

Imec和ASML的合作开发设施将使他们能够走在High NA EUV专用材料和设备工程的最前沿。这些设施包括原型扫描仪、周边基础设施、计量工具以及晶圆和掩模处理系统。

关键观点4: 对下一代High NA EUV的探索和挑战

Imec及其合作伙伴正着眼于实现下一代High NA EUV的目标。他们正在评估现有工艺的性能，开发专用检测工具，并准备逻辑和DRAM用例。此外，他们还在进行Hyper-NA EUV的可行性研究，以探索更高的数值孔径是否可能使业界能够打印间距低于20nm的线条/空间。

关键观点5: 对环境影响的考量

使用虚拟晶圆厂模型量化从Low NA EUV过渡到High NA EUV对环境的影响。虽然High NA EUV扫描仪的功耗较高，但用其单次曝光等效装置替换一个EUV Low NA光刻-光刻-蚀刻（LELE）通孔工艺模块时，总体二氧化碳排放量可以减少30%。同时，也在探索减少其他工艺步骤中的二氧化碳排放的方法。