主要观点总结
文章介绍了新加坡南洋理工大学和香港理工大学合作研究团队采用一锅法成功制备晶圆级HfSe2/WSe2层间异质结的成果。该异质结具有垂直排列的范德华层，通过界面增强的硒化和自导向生长实现。该成果有望为低硫化活性金属的层间异质结制造和高密度集成电路发展提供有价值的见解。
关键观点总结
关键观点1: 合作团队采用一锅法成功制备晶圆级HfSe2/WSe2层间异质结
该异质结具有显著的电荷转移、增强的压电性、显著的整流效应和硅兼容的晶体管集成等特性
关键观点2: 异质结的制备过程通过界面增强的硒化和自导向生长实现
这种生长方法有望为低硫化活性金属共价连接层间异质结的制造提供有价值的参考
关键观点3: 文章提供了图文导读和文献信息
包括逐步法与一锅界面增强硒化法制备HfSe2/WSe2异质结的比较、晶体结构和化学组成、晶圆尺度制备、层间耦合及电荷转移研究、电学行为等方面的图示和详细文献链接
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