近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队，在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔（FP）腔激光器，得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄膜，器件连续波（CW）模式下单面最高输出功率达155 mW且未饱和，CW模式最高可工作至120 ℃，且阈值电流低至0.65 kA/cm⁻²，目前，在输出功率、工作温度和阈值电流密度等主要指标方面均为单片集成获得的硅基C波段FP腔激光器国际已报道的最优值。相关研究成果以“High-power, electrically-driven continuous-wave 1.55-μm Si-based multi-quantum well lasers with a wide operating temperature range grown on wafer-scale InP-on-Si (100) heterogeneous substrate”为题在线
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