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👆如果您希望可以时常见面,欢迎标星🌟收藏哦~ 来 源:内容编译自semiengineering,谢谢。 从用于 MEMS 的大型 TSV 到用于背面电力输送的纳米 TSV,这些互连的经济高效的工艺流程对于使 2.5D 和 3D 封装更加可行至关重要。 硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度,从而降低芯片功耗和延迟,以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能,适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。 TSV 最广为人知的用途或许是在高带宽内存中,与 DDR5 内存相比,DRAM 芯片堆叠越来越高,能够以更小的体积和更低的功耗更快地传输数据。TSV 最初用于 CMOS 图像传感器,但它们也支持与微机电系统 (MEMS)、RF 系统和新兴的逻辑器件背面电源方法的逻辑集成,该方法通过薄硅基板将电源连接到正面 CMOS
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