基于MOSFET实现的可编程光子集成电路

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    各位同仁们，新年快乐！！！     今天看到一篇比较有意思的文章，分享给各位~     可编程光子集成电路复杂性不断提高，随着集成器件数量的增加，控制电芯片的互连数量也在增加，Politecnico di Milano利用时间复用减少电互连数量实现闭环可编程硅光芯片。     该方案主要的特点是在在传统光芯片上集成电芯片，实现PIC的顺序控制，在不造成任何光学损失的情况下减少电气数量。     横向p和n MOSFET可以在标准SOI 220nm的同一硅层的侧壁上实现，如图所示。通过在这一层打开一个垂直沟槽，一个侧栅极尽可能接近晶体管通道，阈值电压约为1.5 V。晶体管局部掺杂(1e17 cm−3)以产生漏极(D)和源极(S)。利用数值模拟优化通道长度L = 4µm，并在不显著降低器件电导率的情况下实现低泄漏电流的关闭状态。nMOS和pMOS器件的实测特性曲线如图所示。晶 ………………………………