3nm/2nm新型晶体管结构

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代工厂在持续开发基于下一代环栅晶体管的新工艺，但将这些技术投入生产将是非常困难和昂贵的。 英特尔、三星、台积电正在准备在明年或2023年从今天的finFETs过渡到新的环栅FETs（GAAFETs）。GAAFETs具有更好的性能、更低的功耗和更低的漏电，3纳米之后，finFETs将被替代。尽管替代的新型晶体管也是从finFETs进化而来，而且已经研发了许多年，但任何新的晶体管类型或材料对芯片行业来说都是一项巨大的改变。芯片制造商一直在尽可能地推迟这一天的到来，但只要继续微缩下去，就需要GAAFETs晶体管。 研发中的GAA架构有几种类型，尽管供应商主要关注一种称为纳米片FETs。基本上，纳米片FETs是一个侧面有栅极包裹的场效应晶体管，可以较低的功耗实现更高性能的芯片。   ………………………………