新书抢读《NAND闪存技术》.日本

主要观点总结

本书详细描述了NAND闪存技术的发展历程，从早期历史、基本结构和操作原理，到存储单元技术的微缩挑战、可靠性，再到3D NAND闪存单元的介绍和挑战。适合从事NAND闪存或SSD开发的工程师、研究人员、设计师以及高等院校师生参考学习。

关键观点总结

关键观点1: 早期历史和基本结构

书中介绍了NAND闪存的早期历史，包括发明过程以及早期的发展挑战。同时详细描述了NAND闪存的基本结构和操作原理。

关键观点2: 存储单元技术的微缩挑战

随着存储单元尺寸的缩小，物理限制和挑战也变得越来越明显。书中详细讨论了这些挑战，包括浮栅电容耦合干扰、电子注入展宽、随机电报信号噪声等。

关键观点3: 可靠性和3D NAND闪存单元

书中讨论了NAND闪存的可靠性问题，包括编程/擦除循环耐久性、数据保持特性等。同时介绍了3D NAND闪存单元的结构、工艺、操作、可微缩性、性能等方面的优缺点。

关键观点4: 3D NAND闪存面临的挑战

尽管3D NAND闪存已经开始量产，但仍然面临许多挑战。书中讨论了增加堆叠单元的数量、阵列下外围电路、功耗等问题。

关键观点5: 总结和前景

最后，本书总结了NAND闪存技术的当前状态，并展望了未来的发展趋势和可能的技术突破。

文章预览

◆图书简介◆ 《NAND闪存技术》讨论了基本和先进的NAND闪存技术，包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来，第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术，并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3D NAND闪存单元，并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3D NAND闪存面临的挑战。最后，第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。 《NAND闪存技术》适合从事NAND闪存或SSD（固态硬盘）和闪存系统开发的工程师、研究人员和设计人员阅读，也可供高等院校集成电路、微电子、电子技术等 ………………………………