应用 | 1700V SiC MOSFET在中功率新能源领域的应用

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高电压SiC MOSFET在低功率辅助电源的应用带来了诸多收益。 随着功率处理能力的提升，碳化硅半导体的切换速度更快、效率更高，其收益也随之增大。碳化硅半导体技术在几十至几百千瓦的功率范围已有许多应用，例如新能源车牵引逆变器、充电器、太阳能逆变器、UPS和电机驱动器等。   ▲ 中功率三相逆变器及其拓扑示意  | 图源：RedeWEB 更高效率，更低成本 下方图例中比较了 SiC MOSFET 和 Si IGBT 解决方案的效率。 SiC MOSFET 在 10 kHz 时的峰值效率可达 99.4% 。 即使开关频率 增加 三倍 、 达到 30 kHz ， SiC   MOSFET 的效率仍然高于 Si IGBT 。 ▲ 10/30kHz开关频率下SiC与Si方案的效率对比  | 图源：Microchip 据此，在应用中将 Si IGBT 组件替换为 SiC MOSFET 时，可以简化原本笨重且昂贵的滤波器组件至原尺寸的三分之一左右。 总体而言，与Si IGBT相比，SiC MOSFET平均可 ………………………………