ALD，一项非常有价值的技术

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： i c bank）编译自semiwiki，谢谢。 原子层沉积 (ALD) 是一种薄膜沉积方法，它推动了半导体器件制造的持续进步。本质上，它涉及将基材依次暴露在至少两种不同的气相气体中，在这些气相气体中，表面上会发生自限性反应：第一种反应将控制量的目标化合物沉积为单层，第二种反应将修改该沉积物并重新创建一个将再次与第一种气体发生反应的表面。 由于该工艺在每个循环中沉积的量是固定的，因此只需选择暴露在衬底上的循环次数，就可以以原子级精度重复控制沉积膜的厚度。这些反应步骤的自限性使这些膜在宏观尺度上以及微观拓扑结构上在整个衬底上具有出色的均匀性。 ALD 具有多种独特优势，使其成为一项非常有价值的技术： 精确的厚度控制： ALD 可在原 ………………………………