港科大发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展！

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香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE Internatio nal Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术： 1.  高速且具备优越开关速度控制能力的3D堆叠式GaN/SiC cascode 功率器件 Paper 25-1, “Stacked Stro ngly Coupled GaN/SiC Cascode Device with Fast Switching and Reclaimed Strong dv/dt Control”, Ji Shu, Heng Wang, Mian Tao, Yat Hon Ng, Sirui Feng, Yangming Du, Zo ngjie Zhou, Jiahui Sun, Ricky Shi-Wei Lee, Kevin Jing Chen 多年来，商业SiC MOSFET的MOS沟道低迁移率（ < 40 cm 2 /V·s）一直是限制宽禁带SiC材料充分释放其性能的瓶颈问题。陈敬教授课题组提出的GaN/SiC 混合型cascode 器件将SiC MOSFET的低迁移率MOS 沟道替换为基于GaN的2DEG沟道，将沟道迁移率大幅提升至2000 cm 2 /V·s左右。为充 ………………………………