主要观点总结
本文报道了CEA-Leti科学家在ECTC 2024上关于新一代CMOS图像传感器（CIS）的相关项目成果。这些项目利用嵌入式AI增强图像质量和功能，采用堆叠多个芯片创建3D架构的方法，实现了传感器设计的重大突破。文章还介绍了相关的技术细节，如混合键合、高密度硅通孔（HD TSV）等技术，并强调了这些技术对智能传感器领域的影响和潜力。
关键观点总结
关键观点1: CEA-Leti科学家在ECTC 2024报告新一代CMOS图像传感器的研发进展。
科学家展示了利用嵌入式AI增强图像质量和功能的技术，这是实现新一代CIS的关键步骤。
关键观点2: 采用堆叠多个芯片创建3D架构的方法以实现传感器设计的突破。
通过混合键合和高密度硅通孔（HD TSV）技术，提高了传感器的性能，满足了智能传感器领域的需求。
关键观点3: 这些技术有助于在不增加设备尺寸的情况下提高传感器性能。
通过开发三层测试载体和优化的减薄工艺，展示了这些技术的可行性和潜力。
关键观点4: CEA-Leti被认定为这一新领域的全球领导者。
这些研发成果展示了CEA-Leti在智能成像仪领域的领先地位，并被认为是成像领域的突破。
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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自image-sensors-world，谢谢。 CEA-Leti 科学家在 ECTC 2024 上报告了三个相关项目的一系列成功，这些成功是实现新一代 CMOS 图像传感器 (CIS) 的关键步骤，它可以利用所有图像数据来感知场景、了解情况并进行干预——这些功能需要在传感器中嵌入 AI。由于智能传感器 在智能手机、数码相机、汽车和医疗设备中的高性能成像功能，对智能传感器的需求正在迅速增长。这种对通过嵌入式 AI 增强的改进图像质量和功能的需求给制造商提出了在不增加设备尺寸的情况下提高传感器性能的挑战。 “堆叠多个芯片以创建 3D 架构，例如三层成像器，已导致传感器设计的范式转变，”论文“Backside Thinning Process Development for High-Density TSV in a 3-Layer Integration”的主要作者 Renan B
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