功率GaN加速普及，E-Mode和D-Mode如何选择？

主要观点总结

本文介绍了GaN技术在近年来的应用发展及其市场规模预测。文章详细解释了功率GaN的两种主要技术路线：耗尽型（D-Mode）和增强型（E-Mode）GaN器件，包括它们的原理、特性、应用及不同点。D-Mode GaN适合高频、高效率应用，而E-Mode GaN更适合故障安全要求严格的低功率到中等功率应用。文章还提到了两种技术路线的市场主要厂商。最后，给出了如何选择E-Mode或D-Mode GaN器件的建议。

关键观点总结

关键观点1: GaN技术近年来在多个领域应用迅速拓展，功率GaN市场规模预计快速增长。

文章介绍了GaN的应用现状及未来市场规模预测。

关键观点2: 介绍了功率GaN的两种主要技术路线：耗尽型（D-Mode）和增强型（E-Mode）GaN器件。

详细解释了两种技术路线的原理、特性及差异。

关键观点3: D-Mode GaN器件在高频、高效率应用中具有优势，适用于数据中心、充电桩等应用。

说明了D-Mode GaN的应用领域及其优势。

关键观点4: E-Mode GaN器件是常关型器件，适用于故障安全要求严格的低功率到中等功率应用。

说明了E-Mode GaN的应用领域及其特性优势。

关键观点5: 在选择E-Mode或D-Mode的GaN器件时，需要考虑系统安全要求、应用频率、驱动电路等因素。

给出了如何选择两种类型GaN器件的建议。

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