主要观点总结
本文主要介绍了三星电子在内存技术领域的三个重要新闻。首先是与英伟达达成HBM3E内存供应交易；其次是HBM4通过英伟达初步测试，并计划大规模生产；最后是重启Z-NAND技术，目标性能是传统SSD的15倍，将针对AI场景进行优化。
关键观点总结
关键观点1: 三星与英伟达达成HBM3E内存供应交易
经过长期谈判，三星将向英伟达供应3万至5万件HBM3E堆栈内存，全数应用于液冷AI服务器。这意味着三星HBM3E 12Hi表现显著改善，改善了此前因发热和良率问题而失去市场的情况。
关键观点2: 三星HBM4通过英伟达初步测试
三星向英伟达提供了HBM4样品，并已经通过了初步的质量测试，目前正进入预生产阶段。如果验证步骤成功，最早可能在11月或12月开始大规模生产。三星提供具有吸引力的报价，传闻向英伟达提供的报价比SK海力士低20%至30%。
关键观点3: 三星重启Z-NAND技术
三星宣布将重启Z-NAND技术开发工作，目标性能是现有NAND闪存的15倍，同时功耗最多降低80%。新一代Z-NAND技术主要针对人工智能应用场景，将重点放在AI GPU优化上，创建允许GPU直接访问Z-NAND存储设备的新技术。
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