Intel、台积电、三星激战2nm！三巨头先进工艺制程进度一览

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4月3日消息，日前举办的Vision 2025大会上， Intel正式宣布18A工艺制程技术已进入风险生产阶段。预计今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。 此举为“四年五个节点（5N4Y）”计划立下关键里程碑。按照Intel的愿景，18A将是其反超台积电、重夺半导体工艺世界第一的关键节点。 值得关注的是，此为新任华人CEO陈立武接棒后首度公开亮相，业界解读Intel此举在向台积电、三星等竞争对手展示技术肌肉。 Intel 18A工艺将全球首次同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET栅极环绕（GAA）晶体管技术 ， 台积电则会在今年下半年2nm使用Nanosheet晶体管技术、2026年下半年导入超级电轨（Super Power Rail），2027年进行1.4nm风险性试产。 半导体从业者透露，若Intel 18A推进顺利，将会比台积电2nm更早导入晶背供电技术。 至于三星，虽然最早导入GAAFET晶体管技术 ………………………………