奥比中光发布高性能dToF激光雷达传感器芯片LS635

主要观点总结

奥比中光发布了高性能dToF激光雷达传感器芯片LS635，该芯片在测距量程、点云密度、功率密度等方面实现了综合突破，并面向机器人、无人机、自动驾驶等应用场景。LS635采用先进的BSI背照式和3D-Stacking工艺，具有强大的远距离测量能力，最远可实现350米的全量程高精度测量。同时，该芯片具有可扩展性，可通过多芯片扩展满足不同场景需求。此外，LS635还采用了面向车规的高可靠性设计，可应对复杂苛刻的应用环境。其超低功耗设计在无人机应用中具有突出优势。

关键观点总结

关键观点1: 奥比中光发布高性能dToF激光雷达传感器芯片LS635

该芯片是行业最先进的3D堆叠工艺的背照式SPAD-SoC芯片，实现了在测距量程、点云密度、功率密度等关键领域的突破。

关键观点2: LS635最远测距达350米，具有强大的远距离测量能力

该芯片通过特殊的外形和尺寸设计，具备极强的可扩展性，可通过多芯片扩展满足不同场景需求。

关键观点3: LS635面向机器人、无人机、自动驾驶等应用场景

其卓越的性能和可靠性使其成为这些领域的重要选择。

关键观点4: LS635采用了面向车规的高可靠性设计

能够应对复杂苛刻的应用环境，如宽温度范围以及超强光照射等条件。

关键观点5: LS635具有超低功耗设计

这种设计在无人机应用中具有突出优势，可节省大量电能，降低功率损耗，使无人机能够长时间工作。

文章预览

据麦姆斯咨询报道，近日，奥比中光发布最新高性能dToF激光雷达传感器芯片LS635，在激光雷达底层技术的自主研发上再进一步。LS635是一款采用行业最先进的3D堆叠工艺的背照式SPAD-SoC芯片，在测距量程、点云密度、功率密度等行业“痛点”上实现了综合突破，面向机器人、无人机、自动驾驶等应用场景。目前，奥比中光已与重点客户展开合作接洽。 最远测距达350米    多芯片扩展可达512线    LS635采用BSI背照式和3D-Stacking工艺的芯片结构，优化了BSI SPAD像素探测效率，提出了创新性的高性能数据后处理算法，显著提高了芯片的测距能力以及解距速度。 具有强大的远距离测量能力，LS635最远可实现350米的全量程高精度测量。在室外条件下测量反射率为10%的物体时，可实现250米的测距能力以及单芯片120万点/秒的超高点频数。 凭借特殊的外形和尺寸设计 ………………………………