研究透视：二维反铁磁材料CrSBr-磁性隧道结 | Nature

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在高密度和超快信息器件方面，反铁磁自旋电子学Antiferromagnetic spintronics显示出了巨大的潜力。磁性隧道结Magnetic tunnel junctions (MTJs) 是一种关键的自旋电子存储元件，通常由铁磁材料形成，最近使用反铁磁材料得到了快速发展。 近日，德国 马普所微结构物理所（Max Planck Institute of Microstructure Physics）Yuliang Chen，Stuart S. P. Parkin等，在Nature上发文，报道了一种二维材料转角制备策略，用于构建低至原子极限的全反铁磁隧道结。 通过二维转角反铁磁体antiferromagnet (AFM) CrSBR的两双层，在零场 zero field (ZF) 时，显示了超过700%非易失性隧道磁电阻 tunnelling magnetoresistance (TMR) 比，其中整个转角堆叠充当隧道势垒。 这是归因于两单层CrSBr转角形成，对于这两单层CrSBr，隧道磁电阻TMR显示为从穿过单个CrSBr单层的累积相干隧穿得到。隧道磁电阻TMR对转角角的依赖关系 ………………………………