德国启动全球首条基于薄膜铌酸锂的光子芯片试产线

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德国量子技术企业Q.ANT与斯图加特微电子研究所（IMS CHIPS）联合宣布，其合作建设的薄膜铌酸锂（TFLN）光子芯片试产线正式投用。该产线通过对既有CMOS半导体设施的改造升级，成为全球首个公开报道的将 薄膜铌酸锂 光子技术与传统晶圆制造工艺融合的量产尝试，旨在解决人工智能算力需求激增与能耗瓶颈问题。 技术突破：光计算替代电传输 据官方披露，此次投产的试验线采用创新性光子计算架构，利用光信号替代传统电子进行数据处理。Q.ANT实验室数据显示，其基于 薄膜铌酸锂 的光子处理器原型能效较传统芯片提升30倍，运算速度提高50倍。 薄膜铌酸锂 材料的核心优势在于无需热调制即可实现每秒数十亿次（GHz级）光信号操控，这一特性被业界视为突破冯·诺依曼架构功耗墙的关键技术路径。 产业布局：旧线改造的新范式 IMS CHIPS首席执行官延 ………………………………