热点丨GaN市场洗牌：台积电抽身，力积电接棒

主要观点总结

本文围绕台积电退出氮化镓（GaN）市场、英飞凌推进300毫米GaN晶圆IDM自建产线等事件，探讨了第三代半导体产业中GaN市场的发展状况和竞争态势。文章介绍了主流GaN芯片制程现状、晶圆制造参与者、工艺路径选择等关键信息，并分析了行业发展趋势和竞争态势。

关键观点总结

关键观点1: 台积电逐步退出GaN市场，决策背后是代工业务毛利率和市场竞争的考量。

台积电计划剥离利润率相对较低的GaN代工业务，转向高需求领域，如高性能计算和AI芯片。这是基于其战略重心调整和市场需求变化的决策。

关键观点2: 力积电接棒台积电，与Navitas等核心客户达成合作。

力积电开始生产GaN产品，并计划在未来一段时间内逐步替代台积电的部分订单。其工艺路径选择体现了第三代半导体在产线兼容性方面的工程考量。

关键观点3: 英飞凌推进300毫米GaN晶圆生产，目标获取效率与成本优势。

英飞凌通过自建产线来推进GaN生产，旨在在效率和成本上获取先发优势。这是其应对市场需求和竞争态势的重要战略。

关键观点4: GaN市场呈现快速增长态势，但竞争也日趋激烈。

随着技术的不断发展和应用的不断拓展，GaN市场呈现出快速增长的态势。但同时也面临着激烈的市场竞争和成本压力。各厂商需要在成本、可靠性和应用场景之间找到最佳平衡点。