主要观点总结
广西大学Hui Peng和邹炳锁等人通过配位结构调节和卤素替换，实现了Sb³⁺掺杂的0D (ETPP)₂ZnCl₋ₓBr₄₋₄ₓ在蓝光激发下的高效NIR发光，并创下了光效纪录。该研究成功合成Sb³⁺掺杂化合物，并展示了良好的热稳定性和化学稳定性。将其应用于制造高性能NIR发光二极管，展示了在夜视和生物医学成像中的潜力。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
实现超高效的宽带近红外（NIR）发光，特别是在蓝光激发下，是无铅金属卤化物领域的一项巨大挑战。
关键观点2: 研究成果
广西大学Hui Peng和邹炳锁等人通过配位结构调节和卤素替换，成功实现了Sb³⁺掺杂的(ETPP)₂ZnCl₋ₓBr₄₋₄ₓ在蓝光激发下的高效NIR发光，具有创纪录的55.4%光效，并展示了良好的热稳定性和化学稳定性。
关键观点3: 应用前景
将商业蓝光芯片与Sb³⁺掺杂的(ETPP)₂ZnBr₄结合，成功制造出高性能的NIR发光二极管，该器件在无铅金属卤化物中表现出最先进的光电效率（17.8%）和输出功率（67.7 mW），展示了在夜视和生物医学成像中的应用潜力。
文章预览
实现超高效的宽带近红外（NIR）发光，特别是在蓝光激发下，仍然是无铅金属卤化物领域中的一项巨大挑战。在本研究中， 广西大学Hui Peng和邹炳锁等人 通过配位结构调节和卤素替换，实现了Sb³⁺掺杂的0D (ETPP)₂ZnCl₄₋ₓBr₄₋₄ₓ（ETPP = 乙基三苯基膦盐）在蓝光激发下的高效NIR发光。 与Sb(III)基化合物的可见光发射相比，由于大的激发态晶格畸变，Sb³⁺掺杂的(ETPP)₂ZnCl₄₋ₓBr₄₋₄ₓ的发射光谱向NIR区域移动。同时，随着Br逐渐替代Cl，激发带从376 nm逐渐移至450 nm，发射带也可以进一步从702 nm移动至763 nm。因此，在450 nm激发下，Sb³⁺掺杂化合物能够实现763 nm的宽带NIR发射，并且具有创纪录的55.4%光效。 进一步开发了在室温下大规模合成Sb³⁺掺杂的(ETPP)₂ZnBr₄：NIR荧光粉的技术，该化合物展现了出色的热稳定性和化学稳定性。最终，通过将商
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