第六代DRAM尚未量产，三星第七代DRAM测试线已开建

主要观点总结

三星电子在平泽P2厂建立了10nm级的第七代DRAM测试线，也称为“单路径线”，预计明年第一季度完全建成。该测试产线用于测试新半导体产品的量产潜质，并计划提高量产良率。三星已计划明年以平泽P4厂为中心引进半导体设备，生产第六代DRAM，并加快良率提升。同时，三星为夺回DRAM市场领导地位，加快产品开发速度，并调整人事。除此之外，三星还投资了另一种内存NAND闪存，并在平泽安装了400层NAND测试线。文章还提到了其他与半导体相关的新闻。

关键观点总结

关键观点1: 三星电子建立第七代DRAM测试线

据韩国媒体Business Korea报道，三星电子已在平泽P2厂建立10nm级的第七代DRAM测试线，预计明年第一季度完全建成。

关键观点2: 测试产线的目的和提高量产良率

测试产线用于测试新半导体产品的量产潜质，一旦下一代芯片性能在研发阶段确定，就会引进晶圆，开始提高量产良率。

关键观点3: 三星第六代和第七代DRAM的计划

三星计划明年以平泽P4厂为中心生产第六代DRAM，并加速良率提升，目标是在明年5月前取得内部量产认证。同时，三星已经开始为第七代DRAM建置厂房。

关键观点4: 三星的人事变动和战略意图

为了夺回领导地位，三星加快产品开发速度，并调整人事。全永铉从半导体业务的设备解决方案负责人改为CEO，并兼任内存业务和三星综合技术院负责人，他将以强大驱动力推动三星技术开发和投资。

关键观点5: 三星对其他内存的投资

除了DRAM，三星还加速投资另一种内存NAND闪存，并在平泽安装了业界第一条400层NAND测试线。