华东师范大学越方禹/龚士静/齐瑞娟团队Nat. Commun.: 范德华IV族单硫族化合物中的非常规...

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2025年2月20日，Nat. Commun.在线发表了华东师范大学越方禹教授、龚士静教授和齐瑞娟高级工程师 课题组的研究论文，题目为《 Unconventional (anti)ferroelectricity in van der Waals group-IV monochalcogenides 》，论文的第一作者为 Fengrui Sui。 范德华层状铁电（FE）半导体，特别是具有面外（OOP）铁电性质的半导体，在制造下一代纳米器件方面极具潜力，这些器件包括小型非易失性存储器、非线性光学和光电器件以及低功耗的内存计算等。 然而，由于缺乏具有空间反演对称性破缺的候选材料，目前仅确认了少数几种范德华 面外铁电半导体，例如In 2 Se 3 、CuInP 2 S 6 和InSe等，这些材料之所以具有面外铁电性质，是因为离子在垂直方向上的位移或层间方向的滑移（电荷重新分布），以及通过层间转角（具有莫尔图案）形成的独特非对称人工结构。 作为新兴的、备受关注的 ………………………………