华东师范大学 Nat. Commun. ：首次完整揭示GeSe非常规面外（反）铁电机制

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华东师范大学Junhao Chu，Fangyu Yue，Shijing Gong，Ruijuan Qi等人发表了题为Unconventional (anti)ferroelectricity in van der Waals group-IV monochalcogenides于Nature Communications期刊上    研究背景 在材料科学领域，铁电材料凭借其独特的自发极化特性，可在外部电场作用下改变极化方向，在电子器件领域有着广泛的应用前景。然而，传统铁电材料需满足非中心对称空间群的结构要求，这极大地限制了新型铁电材料的探索范围。与此同时，范德华（vdW）层状材料因具有独特的物理性质和潜在的应用价值而备受关注。然而，具有破缺空间反演对称性的材料非常稀缺。各向异性的 IV 族单卤化物 MX（例如，M = Ge，Sn；X = S，Se）半导体具有有趣的电/光性质，然而，几乎所有涉及 MX 中的（反）铁电（AFE/FE）的报告都是面内的，目前对于MX面外（OOP）AFE/FE行为还缺少系统性的理论分析与 ………………………………