启动2nm工艺研发，台积电半导体竞赛英特尔加速全球争霸

台积电率先量产7nm+工艺后，再出新动作。日前，台积电官方宣布，正式启动2nm工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。不过台积电方面并没有给出2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化。但是按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm。也就是说，2nm制程相比于3nm要小了23％。 能在硅半导体工艺上继续精深到如此地步堪称奇迹。当然，在量产2nm之前，台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm只是7nm的一个升 ………………………………