过电位仅156 mV！山东大学 & 国科大，AFM

主要观点总结

该文章主要介绍了通过电化学重构过程中选择性溶出Zn，在FeNiOOH中精准构建Zn空位，从而激活晶格氧并抑制结构崩塌的研究。研究团队通过精确调控空位结构，构建了基于晶格氧氧化机制（LOM）的耐久电催化剂设计范式，成功弥合了高活性与工业级稳定性之间的差距。该研究对于解决实用化瓶颈和提高电催化剂性能具有重要意义。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

晶格氧周转缓慢、结构不稳是OER实用化的瓶颈。

关键观点2: 研究内容

研究团队通过电化学重构时选择性溶出Zn，在FeNiOOH骨架中引入Zn空位（Zn v）。Zn v稳定Fe位、提高其氧化态与路易斯酸性，触发羟基溢流，沿非常规路径加速氧空位补给与晶格氧再生。

关键观点3: 研究成果

优化后的催化剂在10 mA cm -2 过电位仅156 mV，≥200 mA cm -2 工业电流下稳定运行500 h，衰减率降低70倍。该研究为工业电解水制氢提供了高活性、高耐久、可规模化的非贵金属催化剂设计范例。

关键观点4: 科研优惠活动

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