新型设备技术将成为AI时代扩展到1000层 3D NAND的关键

主要观点总结

本文主要讨论了云端和边缘人工智能计算对更快、更高容量存储的需求，以及这种需求如何推动3D NAND FLASH内存市场的发展。文章介绍了3D NAND技术的发展历程，以及未来面临的挑战，包括字线堆叠、高深宽比蚀刻等问题。同时，文章还探讨了设备制造商和芯片制造商的创新，以及人工智能在推动3D NAND扩展中的作用。

关键观点总结

关键观点1: 人工智能计算和存储需求的增长将推动3D NAND FLASH市场的发展。

随着人工智能计算的不断进步，对更快、更大容量的存储需求也在增长，这将推动3D NAND FLASH市场的发展。预计到2030年，整体NAND FLASH内存市场将从2023年的400亿美元增长一倍以上，达到930亿美元。

关键观点2: 3D NAND FLASH面临高纵横比蚀刻等挑战。

为了满足日益增长的需求，必须克服一些挑战，如高纵横比蚀刻等。这需要开发新的沉积和蚀刻技术，以提高效率和准确性。

关键观点3: 创新技术将助力解决蚀刻难题。

最新的创新技术，如低温蚀刻工艺和Lam Research的“Lam Cryo 3.0”，可以解决高纵横比蚀刻带来的挑战。这些技术有助于提高蚀刻速率和精度，从而实现更深的蚀刻而不影响特征形状。

关键观点4: 人工智能在推动3D NAND扩展中发挥作用。

人工智能在推动3D NAND扩展方面发挥着重要作用。内存和存储对于人工智能开发至关重要，未来AI模型的增长速度预计将超过当前GPU和DRAM所能提供的容量。因此，大容量SSD中3D NAND的作用将变得越来越重要，以保持从训练到推理的性能呈指数级增长。