清华大学\/国家纳米中心Nature Mater.：高选择性制备1T’相单层MoS2

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第一作者：Lina Liu 通讯作者：焦丽颖、谢黎明 通讯单位：清华大学、国家纳米科学中心   研究亮点： 通过理论计算设计前驱体，并调节CVD气氛一步选择性合成2H及1T’相的MoS 2 单分子层薄膜及双层膜。   研究背景 二维MoS 2 是过渡金属硫化物中的一种典型复相材料。三棱柱型（2H型）MoS 2 是热力学稳定相，可用作超薄半导体，在纳米电子学和光电子学领域具有广阔的前景。而欲合成热力学不稳定的八面体型(1T)或扭曲八面体型(1T′)相，以往是通过锂离子脱嵌、电子束扫描或表面掺杂方法,纯度最多只能达到80%，且不能合成单层MoS 2 。   在以上过程中，Mo原子周围的硫配位环境改变，Mo原子的d轨道裂分方式和电子填充方式也发生了变化，导致MoS 2 由半导体相2H相转变为金属 ………………………………